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MSPM0在指定Flash地址开拓模拟EEPROM

时间:2010-12-5 17:23:32  作者:娱乐   来源:焦点  查看:  评论:0
内容摘要:在嵌入式零星中,诸如变频器以及伺服驱动器等工业运用,致使CD播放器等泛滥破费电子产物,都需要保存最近的用户配置,不才次上电后加载运用。假如运用MCU内置Flash,艰深擦写次数限度在10k次,无奈知足

在嵌入式零星中,指定址开诸如变频器以及伺服驱动器等工业运用,拓模致使CD播放器等泛滥破费电子产物,指定址开都需要保存最近的拓模用户配置,不才次上电后加载运用。指定址开假如运用MCU内置Flash ,拓模艰深擦写次数限度在10k次,指定址开无奈知足寿命以及持久性要求 ,拓模以是指定址开只能经由外置EEPROM实现。

本文援用地址:TI新推出的拓模MSPM0系列MCU反对于运用Flash模拟EEPROM时需要在Lower32KB开拓EEPROM专用地域的工况 ,提出运用SECTIONS调配的指定址开方式处置与EEPROM以及Code可能重合的下场 ,配合SDK的拓模Flash操作 ,可能很简略实现EEPROM在恣意Flash地域的指定址开开拓 。

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